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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE015N40GU | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 235
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6116
总栅极电荷 QG(nC) 155
耗散功率PD(W) 175
品牌 新洁能

NCE30H12 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3780
总栅极电荷 QG(nC) 80
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCE3404E | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 5.8
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 30
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 33
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 42
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 639
总栅极电荷 QG(nC) 15.3
耗散功率PD(W) 1.9
品牌 新洁能

NCE3404X | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 5.8
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 38
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 50
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 406
总栅极电荷 QG(nC) 10
耗散功率PD(W) 1.3
品牌 新洁能

NCE020N30K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 180
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7264
总栅极电荷 QG(nC) 156.1
耗散功率PD(W) 135
品牌 新洁能

NCE30H10BK | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 100
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2820
总栅极电荷 QG(nC) 57.2
耗散功率PD(W) 400
品牌 新洁能

NCE035N30G | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 100
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2545
总栅极电荷 QG(nC) 55
耗散功率PD(W) 65
品牌 新洁能

NCE035N30K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 105
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2545
总栅极电荷 QG(nC) 55
耗散功率PD(W) 115
品牌 新洁能

NCE042N30K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 100
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 6.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1936
总栅极电荷 QG(nC) 43.1
耗散功率PD(W) 105
品牌 新洁能

NCE048N30Q | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1350
总栅极电荷 QG(nC) 31.3
耗散功率PD(W) 38
品牌 新洁能

NCE4003A | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 3
关断阈值电压VTH(V) 1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 32
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 38
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 43
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 53
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 82
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 106
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 265
总栅极电荷 QG(nC) 10.2
耗散功率PD(W) 0.7
品牌 新洁能

NCE025N30K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 115
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 5.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3120
总栅极电荷 QG(nC) 71
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCE30H28 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 280
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.55
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 10100
总栅极电荷 QG(nC) 228
耗散功率PD(W) 235
品牌 新洁能

NCE6004 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 4
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 38
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 50
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 58
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 80
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 553
总栅极电荷 QG(nC) 11.4
耗散功率PD(W) 1.7
品牌 新洁能

NCE3068Q | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 60
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 6.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 7.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1784
总栅极电荷 QG(nC) 38.4
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能
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