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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE025N30G | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 115
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 5.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3120
总栅极电荷 QG(nC) 71
耗散功率PD(W) 70
品牌 新洁能

NCE40H14 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 140
关断阈值电压VTH(V) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.65
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4308
总栅极电荷 QG(nC) 93.2
耗散功率PD(W) 135
品牌 新洁能

NCE011N30GU | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 325
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.75
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7264
总栅极电荷 QG(nC) 156.1
耗散功率PD(W) 147
品牌 新洁能

NCE4090K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 90
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 9.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2692
总栅极电荷 QG(nC) 59
耗散功率PD(W) 85
品牌 新洁能

NCE40H12A | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6640
总栅极电荷 QG(nC) 172
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCE3085K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 85
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 9.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1350
总栅极电荷 QG(nC) 31.3
耗散功率PD(W) 85
品牌 新洁能

NCE4555K | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 45
漏极电流ID(A) 55
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 17
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1150
总栅极电荷 QG(nC) 32.5
耗散功率PD(W) 75
品牌 新洁能

NCE2013J | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 2*2
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 20
漏极电流ID(A) 13
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 8.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 10.5
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 1544
总栅极电荷 QG(nC) 23.5
耗散功率PD(W) 2.8
品牌 新洁能

NCE0102B | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 1.8
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 530
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 680
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 580
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 700
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 164.6
总栅极电荷 QG(nC) 8.3
耗散功率PD(W) 1.25
品牌 新洁能

NCE4005 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 5
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 36
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 46
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 530
总栅极电荷 QG(nC) 15.5
耗散功率PD(W) 1
品牌 新洁能

NCE40H11 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 110
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3650
总栅极电荷 QG(nC) 84
耗散功率PD(W) 105
品牌 新洁能

NCE30H10BG | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 100
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 8.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2820
总栅极电荷 QG(nC) 57.2
耗散功率PD(W) 65
品牌 新洁能

NCE4003 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

查看详情
产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 3
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 33
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 40
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 52
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 68
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 265
总栅极电荷 QG(nC) 10.2
耗散功率PD(W) 0.7
品牌 新洁能

NCE30H15BG | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5235
总栅极电荷 QG(nC) 106
耗散功率PD(W) 80
品牌 新洁能

NCE75H25 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 75
漏极电流ID(A) 250
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 14722
总栅极电荷 QG(nC) 311
耗散功率PD(W) 350
品牌 新洁能
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15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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