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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE75H25T | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 75
漏极电流ID(A) 250
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 14722
总栅极电荷 QG(nC) 311
耗散功率PD(W) 350
品牌 新洁能

NCE1540AF | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 1.05
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 30
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 37
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5941
总栅极电荷 QG(nC) 183
耗散功率PD(W) 37
品牌 新洁能

NCE60H18 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 180
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9840
总栅极电荷 QG(nC) 200
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCE15H10 | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 100
关断阈值电压VTH(V) 3.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11800
总栅极电荷 QG(nC) 240
耗散功率PD(W) 370
品牌 新洁能

NCE30H12AK | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 1.1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3250
总栅极电荷 QG(nC) 74
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCE60H30T | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 300
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 17993
总栅极电荷 QG(nC) 360
耗散功率PD(W) 400
品牌 新洁能

NCE0275D | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 75
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 19
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 22
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8238
总栅极电荷 QG(nC) 152.7
耗散功率PD(W) 360
品牌 新洁能

NCE3045G | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1220
总栅极电荷 QG(nC) 28
耗散功率PD(W) 50
品牌 新洁能

NCE30H33LL | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 330
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 13873
总栅极电荷 QG(nC) 231
耗散功率PD(W) 320
品牌 新洁能

NCE0117AK | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 17
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 42
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 48
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 44
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 53
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1468
总栅极电荷 QG(nC) 40
耗散功率PD(W) 55
品牌 新洁能

NCE6058AK | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 58
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 14.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2750
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 85
品牌 新洁能

NCE3030Q | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 30
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 12
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 960
总栅极电荷 QG(nC) 24
耗散功率PD(W) 28
品牌 新洁能

NCE8295A | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 82
漏极电流ID(A) 95
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5633
总栅极电荷 QG(nC) 109.3
耗散功率PD(W) 170
品牌 新洁能

NCE0105M | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-89
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 5
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 82
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 95
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 87
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 105
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 714
总栅极电荷 QG(nC) 21.8
耗散功率PD(W) 4.5
品牌 新洁能

NCE0157G | 12-200V N-Channel Trench MOSFET 12-300V N MOS

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产品ID 339
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 57
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 12.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 14.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3778
总栅极电荷 QG(nC) 81.6
耗散功率PD(W) 100
品牌 新洁能
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