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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE01P30BK | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 43
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 50
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 46
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 60
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5612.4
总栅极电荷 QG(nC) 96.6
耗散功率PD(W) 125
品牌 新洁能

NCE01P15 | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -15
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 144
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 170
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 155
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 185
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1835
总栅极电荷 QG(nC) 36.6
耗散功率PD(W) 85
品牌 新洁能

NCE02P20D | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -200
漏极电流ID(A) -20
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 190
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 215
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 200
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 230
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6596
总栅极电荷 QG(nC) 122
耗散功率PD(W) 192
品牌 新洁能

NCE15P30AK | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -150
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 82
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 90
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5448
总栅极电荷 QG(nC) 111.5
耗散功率PD(W) 187
品牌 新洁能

NCE20P58Q | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 3.3*3.3
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -58
关断阈值电压VTH(V) -0.65
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 6.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 8.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4307.4
总栅极电荷 QG(nC) 58.6
耗散功率PD(W) 37
品牌 新洁能

NCE15P30G | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -150
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 78
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 88
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 81.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 95
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6015
总栅极电荷 QG(nC) 124
耗散功率PD(W) 158
品牌 新洁能

NCE75P40S | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -5
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 61
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 70.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 80
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 104
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 527.2
总栅极电荷 QG(nC) 12.4
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCE78P40Y | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23-3L
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -4.8
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 68
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 78
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 97
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 113
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 527.2
总栅极电荷 QG(nC) 12.4
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCE01P35D | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -35
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 30
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 40
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 32
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5720
总栅极电荷 QG(nC) 118
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCE13P40K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -50
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 14.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 19
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1749
总栅极电荷 QG(nC) 43.2
耗散功率PD(W) 62
品牌 新洁能

NCE13P40Q | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 3.3*3.3
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -33
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 10.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 15.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 20
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1749
总栅极电荷 QG(nC) 43.2
耗散功率PD(W) 27
品牌 新洁能

N2305 | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -5.8
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 22.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 28
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 29.3
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 35
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 854.1
总栅极电荷 QG(nC) 14.4
耗散功率PD(W) 1.6
品牌 新洁能

NCE2305D | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -5.3
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 31
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 36
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 40
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 52
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 928
总栅极电荷 QG(nC) 12.9
耗散功率PD(W) 1.5
品牌 新洁能

NCE15P30D | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -150
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 78
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 88
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 81.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 95
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6015
总栅极电荷 QG(nC) 124
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能

NCE13P40KE | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -50
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 18
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2840
总栅极电荷 QG(nC) 59.2
耗散功率PD(W) 63
品牌 新洁能
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15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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