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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE02P20AK | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -200
漏极电流ID(A) -20
关断阈值电压VTH(V) -3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 200
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 230
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 210
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 250
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6596
总栅极电荷 QG(nC) 122
耗散功率PD(W) 185
品牌 新洁能

NCE25P60AK | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -50
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 32
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2835
总栅极电荷 QG(nC) 58
耗散功率PD(W) 140
品牌 新洁能

NCE085P30Q | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 3.3*3.3
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -35
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 89.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2105
总栅极电荷 QG(nC) 41
耗散功率PD(W) 31
品牌 新洁能

NCE20P45BQ | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -45
关断阈值电压VTH(V) -0.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 8
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 8.8
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 11.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±12
输入电容CISS(pF) 3868
总栅极电荷 QG(nC) 35.4
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能

NCE018P30GU | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -180
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9030
总栅极电荷 QG(nC) 187
耗散功率PD(W) 108
品牌 新洁能

NCE3407D | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -3.9
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 38
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 46
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 62
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 80
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 523
总栅极电荷 QG(nC) 11.5
耗散功率PD(W) 1.4
品牌 新洁能

NCE09P40S | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -14
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 12.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2214
总栅极电荷 QG(nC) 52.4
耗散功率PD(W) 3.5
品牌 新洁能

BSS84 | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -0.23
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 21.8
总栅极电荷 QG(nC) 4
耗散功率PD(W) 0.71
品牌 新洁能

NCE065P30G | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -40
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 8.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 11
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2517
总栅极电荷 QG(nC) 55.4
耗散功率PD(W) 41
品牌 新洁能

NCE090P40G | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -60
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 12.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2214
总栅极电荷 QG(nC) 51.4
耗散功率PD(W) 63
品牌 新洁能

NCE3139 | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-723
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -0.7
关断阈值电压VTH(V) -0.65
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 355
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 460
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 480
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 670
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 68
总栅极电荷 QG(nC) 2.26
耗散功率PD(W) 0.35
品牌 新洁能

NCE3007BS | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -7
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 27
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 31
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 625
总栅极电荷 QG(nC) 13.9
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCE3407C | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -4.5
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 31
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 36
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 42
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 55
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 625
总栅极电荷 QG(nC) 12.5
耗散功率PD(W) 1.4
品牌 新洁能

NCE065P30Q | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 8.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 12
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2517
总栅极电荷 QG(nC) 55.4
耗散功率PD(W) 41
品牌 新洁能

NCE01P15K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -15
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 144
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 170
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 155
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 185
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1835
总栅极电荷 QG(nC) 36.6
耗散功率PD(W) 85
品牌 新洁能
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