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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE90P60EK | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -11
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 80
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 95
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 660.1
总栅极电荷 QG(nC) 17.5
耗散功率PD(W) 27
品牌 新洁能

NCE3401H | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -3
关断阈值电压VTH(V) -0.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 68
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 75
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 80
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 95
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 125
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 150
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 295
总栅极电荷 QG(nC) 6.8
耗散功率PD(W) 1
品牌 新洁能

NCE2303H | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -3
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 63
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 70
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 91
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 105
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 253
总栅极电荷 QG(nC) 8.2
耗散功率PD(W) 1
品牌 新洁能

NCE2301H | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -3
关断阈值电压VTH(V) -0.85
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 54
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 62
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 71
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 92
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 461
总栅极电荷 QG(nC) 6.1
耗散功率PD(W) 1
品牌 新洁能

NCE090P40K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -60
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 12.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2214
总栅极电荷 QG(nC) 52.4
耗散功率PD(W) 70
品牌 新洁能

NCE090P40Q | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -40
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 12.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2214
总栅极电荷 QG(nC) 52.4
耗散功率PD(W) 28
品牌 新洁能

NCE60P28BK | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -28
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 50
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 58
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2320
总栅极电荷 QG(nC) 36.5
耗散功率PD(W) 97
品牌 新洁能

NCE13P40SE | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -10
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2840
总栅极电荷 QG(nC) 59.2
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCE90P60EY | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -3
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 88
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 105
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 102
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 118
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 662.2
总栅极电荷 QG(nC) 17
耗散功率PD(W) 1.5
品牌 新洁能

NCE3401C | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -4.2
关断阈值电压VTH(V) -1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 33
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 38
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 40
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 52
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 835
总栅极电荷 QG(nC) 8.8
耗散功率PD(W) 1.4
品牌 新洁能

NCE60P14K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -14
关断阈值电压VTH(V) -1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 63
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 75
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 74
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 96
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 772
总栅极电荷 QG(nC) 19.4
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能

NCE60P82AF | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220F
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -41
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5064
总栅极电荷 QG(nC) 91.5
耗散功率PD(W) 44
品牌 新洁能

NCE25P60K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -50
关断阈值电压VTH(V) -3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3406
总栅极电荷 QG(nC) 56
耗散功率PD(W) 140
品牌 新洁能

NCE4614B | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -7
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 19
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 45.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 542
总栅极电荷 QG(nC) 15.7
耗散功率PD(W) 2
品牌 新洁能

NCE15P30 | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -150
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 78
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 88
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 81.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 95
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6015
总栅极电荷 QG(nC) 124
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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