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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE035P40GU | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -130
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7756
总栅极电荷 QG(nC) 158
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCE15P30K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -150
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 78
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 91
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 81.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 105
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6015
总栅极电荷 QG(nC) 124
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能

NCE02P20K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -200
漏极电流ID(A) -20
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 183
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 200
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 188
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 220
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6596
总栅极电荷 QG(nC) 122
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能

NCE01P35K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -35
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 30
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 40
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 32
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5720
总栅极电荷 QG(nC) 118
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCE30P85K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -85
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 10
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7016
总栅极电荷 QG(nC) 92.5
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCE14P40K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 15
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 20
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1890
总栅极电荷 QG(nC) 37.4
耗散功率PD(W) 50
品牌 新洁能

NCE30P40K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -40
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2125
总栅极电荷 QG(nC) 41.5
耗散功率PD(W) 40
品牌 新洁能

NCE4435B | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -1.2
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 12.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2151
总栅极电荷 QG(nC) 41.5
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE20P05J | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 2*2
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -5
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 65
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 75
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 88
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 105
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 496
总栅极电荷 QG(nC) 7
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCE16P40Q | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -15
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 15.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 28
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 893
总栅极电荷 QG(nC) 23
耗散功率PD(W) 25
品牌 新洁能

NCE20P09S | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -9
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 28
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 32
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 40
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2015
总栅极电荷 QG(nC) 17
耗散功率PD(W) 3.1
品牌 新洁能

NCE20P08J | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 2*2
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -20
漏极电流ID(A) -8
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 24.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 30
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 31
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1134
总栅极电荷 QG(nC) 12.8
耗散功率PD(W) 2.6
品牌 新洁能

NCE16P07J | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 2*2
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -16
漏极电流ID(A) -7
关断阈值电压VTH(V) -0.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 30
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 34
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1087
总栅极电荷 QG(nC) 14.5
耗散功率PD(W) 2.5
品牌 新洁能

NCE3407E | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -4.3
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 28
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 39
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 38
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 59
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 520
总栅极电荷 QG(nC) 12.8
耗散功率PD(W) 1.5
品牌 新洁能

NCE01P13I | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-251
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -13
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 170
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 200
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1734
总栅极电荷 QG(nC) 33.1
耗散功率PD(W) 40
品牌 新洁能
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