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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE60P70G | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -70
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5604
总栅极电荷 QG(nC) 62.1
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCE60P06S | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -6
关断阈值电压VTH(V) -2.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 40
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2578
总栅极电荷 QG(nC) 46.2
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE40P30K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 15
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 32
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2050
总栅极电荷 QG(nC) 40.8
耗散功率PD(W) 60
品牌 新洁能

NCE30P12BS | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -12
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 12.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2151
总栅极电荷 QG(nC) 41.5
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE30P55K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -55
关断阈值电压VTH(V) -1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 10
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 17
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3767
总栅极电荷 QG(nC) 70.7
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCE30P25BQ | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3*3
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -25
关断阈值电压VTH(V) -1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2151
总栅极电荷 QG(nC) 42.8
耗散功率PD(W) 40
品牌 新洁能

NCE60P50G | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -50
关断阈值电压VTH(V) -2.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 28
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3016.8
总栅极电荷 QG(nC) 49.8
耗散功率PD(W) 100
品牌 新洁能

NCE60P18AQ | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -18
关断阈值电压VTH(V) -1.75
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 32
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 37
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 44
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 55
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1920
总栅极电荷 QG(nC) 36.5
耗散功率PD(W) 40
品牌 新洁能

NCE60P65K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -65
关断阈值电压VTH(V) -2.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 13
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 18
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5814
总栅极电荷 QG(nC) 75
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCE60P03R | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-223
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -3
关断阈值电压VTH(V) -2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 148
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 170
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 185
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 220
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 444.2
总栅极电荷 QG(nC) 11.3
耗散功率PD(W) 2.75
品牌 新洁能

NCE3401E | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -4.4
关断阈值电压VTH(V) -0.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 33
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 45
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 37.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 55
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 55
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 70
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 950
总栅极电荷 QG(nC) 9.5
耗散功率PD(W) 1.3
品牌 新洁能

NCE3401BY | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -30
漏极电流ID(A) -4.4
关断阈值电压VTH(V) -0.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 33
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 45
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 37.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 55
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 55
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 70
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 909.5
总栅极电荷 QG(nC) 7.3
耗散功率PD(W) 1.3
品牌 新洁能

NCE60PD05S | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOP-8
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -5
关断阈值电压VTH(V) -2.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 40
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 50
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2578
总栅极电荷 QG(nC) 46.2
耗散功率PD(W) 3
品牌 新洁能

NCE40P20Q1 | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

查看详情
产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -40
漏极电流ID(A) -20
关断阈值电压VTH(V) -1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 21.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 28
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2800
总栅极电荷 QG(nC) 54
耗散功率PD(W) 30
品牌 新洁能

NCE60P09K | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -60
漏极电流ID(A) -9
关断阈值电压VTH(V) -2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 173
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 220
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 444.2
总栅极电荷 QG(nC) 11.3
耗散功率PD(W) 40
品牌 新洁能
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