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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCE15P25JI | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-251
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -155
漏极电流ID(A) -25
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 120
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 135
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 131
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 160
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7650
总栅极电荷 QG(nC) 137
耗散功率PD(W) 160
品牌 新洁能

NCE15P25J | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -155
漏极电流ID(A) -25
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 120
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 135
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 131
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 160
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7650
总栅极电荷 QG(nC) 137
耗散功率PD(W) 160
品牌 新洁能

NCE15P25* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -150
漏极电流ID(A) -25
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 140
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7650
总栅极电荷 QG(nC) 137
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCE15P25JK* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -150
漏极电流ID(A) -25
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 120
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 150
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 131
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 160
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7650
总栅极电荷 QG(nC) 137
耗散功率PD(W) 160
品牌 新洁能

NCE15P25I* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-251
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -150
漏极电流ID(A) -25
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 120
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 135
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 131
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 160
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7650
总栅极电荷 QG(nC) 137
耗散功率PD(W) 160
品牌 新洁能

NCE01P30D* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 44
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 58
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 48
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 65
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3810
总栅极电荷 QG(nC) 136
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCE01P30L* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-251S
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 44
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 58
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 48
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 65
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3810
总栅极电荷 QG(nC) 136
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCE01P30I* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-251
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 44
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 58
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 48
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 65
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3810
总栅极电荷 QG(nC) 136
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCE01P30K* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 44
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 58
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 48
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 65
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3810
总栅极电荷 QG(nC) 136
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCE01P30* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -30
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 44
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 58
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 48
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 65
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3810
总栅极电荷 QG(nC) 136
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCE01P18D* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-263
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -18
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 85
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 100
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 95
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 120
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3810
总栅极电荷 QG(nC) 70
耗散功率PD(W) 70
品牌 新洁能

NCE01P18L* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-251S
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -18
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 85
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 100
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 95
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 120
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3810
总栅极电荷 QG(nC) 70
耗散功率PD(W) 70
品牌 新洁能

NCE01P18K* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -18
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 85
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 100
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 95
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 120
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3810
总栅极电荷 QG(nC) 70
耗散功率PD(W) 70
品牌 新洁能

NCE01P18* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -18
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 85
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 100
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 95
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 120
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3810
总栅极电荷 QG(nC) 70
耗散功率PD(W) 70
品牌 新洁能

NCE01P13K* | 12-200V P-Channel Trench MOSFET 12-150V P MOS

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产品ID 338
车规级工业级 工业级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 P
漏源击穿电压VDSS(V) -100
漏极电流ID(A) -13
关断阈值电压VTH(V) -1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 170
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 200
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 200
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 230
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1734
总栅极电荷 QG(nC) 33
耗散功率PD(W) 40
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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