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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEA4080K | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 8.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2730
总栅极电荷 QG(nC) 61
耗散功率PD(W) 80
品牌 新洁能

NCEAP40ND60AG | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 65
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1040
总栅极电荷 QG(nC) 17
耗散功率PD(W) 72
品牌 新洁能

NCEAP4065QU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 110
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2245
总栅极电荷 QG(nC) 40.5
耗散功率PD(W) 65
品牌 新洁能

NCEAP40ND40AG | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 43
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 700
总栅极电荷 QG(nC) 14.6
耗散功率PD(W) 33
品牌 新洁能

NCEAP40ND40G | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 43
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 10.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 13
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 831
总栅极电荷 QG(nC) 17.6
耗散功率PD(W) 33
品牌 新洁能

NCEAP4045AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 50
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 700
总栅极电荷 QG(nC) 14.6
耗散功率PD(W) 33
品牌 新洁能

NCEAP4040Q | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 42
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 13
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 831
总栅极电荷 QG(nC) 17.6
耗散功率PD(W) 30
品牌 新洁能

NCEAP4090AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 125
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1695
总栅极电荷 QG(nC) 28
耗散功率PD(W) 102
品牌 新洁能

NCEAP40T14AK | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 190
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.95
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4180
总栅极电荷 QG(nC) 59.5
耗散功率PD(W) 165
品牌 新洁能

NCEAP40T11AG | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 150
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2750
总栅极电荷 QG(nC) 38.5
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCEAP40T13AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 190
关断阈值电压VTH(V) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2100
总栅极电荷 QG(nC) 28
耗散功率PD(W) 156
品牌 新洁能

NCEAP40T20ALL | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 360
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.35
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5834.6
总栅极电荷 QG(nC) 91
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCEAP40T35ALL | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 570
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.63
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 0.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11669
总栅极电荷 QG(nC) 182
耗散功率PD(W) 500
品牌 新洁能

NCEAP4045GU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 50
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 8.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 10
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 831
总栅极电荷 QG(nC) 17.6
耗散功率PD(W) 33
品牌 新洁能

NCEAP40T20AD | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 295
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5834.6
总栅极电荷 QG(nC) 91
耗散功率PD(W) 270
品牌 新洁能
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15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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