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步进驱动-通用

共 0 件商品
型号 描述 工作电压范围(V) 输出持续电流 (Max.)(A) 峰值电流 (Max.)(A) 导通电阻 (Typ.)(mΩ) (HS+LS) 类型 架构 数量 接口 工作温度(℃) 封装 品牌 操作
MS31860 单级步进电机驱动 6.5-38 0.68 - 1500 低边驱动 内置MOS 2 SPI -40 to 85 eTSSOP16 瑞盟科技 点击进入
MS31803 单级步进电机驱动 7.2-50 - 1 420 低边驱动 内置MOS 1 EN/IN -40 to 85 eTSSOP16 瑞盟科技 点击进入
MS31813 单级步进电机驱动 7.2-50 - 1 420 低边驱动 内置MOS 1 EN/IN -40 to 85 eTSSOP16 瑞盟科技 点击进入
MS31804 单级步进电机驱动 7.2-50 - 1 420 低边驱动 内置MOS 1 SPI -40 to 85 eTSSOP16 瑞盟科技 点击进入
MS35612 双路DMOS PWM，通过VREF控制实现更高细分 8 - 36 1 1.2 1000 4个H桥 内置MOS 2 PHASE/EN -40-105 TQFP48/QFN36 瑞盟科技 点击进入
MS35656 4细分，通过VREF控制实现更高细分 7 - 30 1.4 2 500 双H桥 内置MOS 1 PHASE/I0,I1 -40-85 QFN28 瑞盟科技 点击进入
MS35657 4细分，通过VREF控制实现更高细分 7 - 30 1.4 2 490 双H桥 内置MOS 1 PHASE/I0,I1 -40-85 Etssop28/QFN28 瑞盟科技 点击进入
MS35633 双路DMOS PWM，通过VREF控制实现更高细分 8 - 50 - 2 500 4个H桥 内置MOS 2 PHASE -40-125 QFN36 瑞盟科技 点击进入
MS35632 双路DMOS PWM，4细分，通过VREF控制实现更高细分 8 - 36 0.8 1.2 1000 4个H桥 内置MOS 2 PHASE/I0,I1 -40-105 TQFP48/QFN36 瑞盟科技 点击进入
MS35631 双路DMOS PWM，4细分，通过VREF控制实现更高细分 8 - 36 0.8 1.2 1000 4个H桥 内置MOS 2 PHASE/I0,I1 -40-105 TQFP48/QFN36 瑞盟科技 点击进入
MS35639 双路DMOS PWM驱动芯片，256细分 8 - 36 0.8 1.2 1000 4个H桥 内置MOS 2 PHASE/I0,I1 -40-125 TQFP48 瑞盟科技 点击进入
MS35776A S/D接口，256细分，静音模式 4.7-36 1.4 2 570 双H桥 内置MOS 1 S/D -40 to 125 QFN28 瑞盟科技 点击进入
MS35776 S/D接口，256细分，静音模式 4.7-36 1.4 2 570 双H桥 内置MOS 1 S/D -40 to 125 QFN28 瑞盟科技 点击进入
MS35774A S/D接口，256细分，静音模式 4.7-36 1.4 2 570 双H桥 内置MOS 1 S/D -40 to 125 QFN28 瑞盟科技 点击进入
MS35774 S/D接口，256细分，静音模式 4.7-36 1.4 2 570 双H桥 内置MOS 1 S/D -40 to 125 QFN28 瑞盟科技 点击进入
MS4989 S/D接口，16细分 7-35 - 2 750 双H桥 内置MOS 1 S/D -40 to 100 TSSOP28 瑞盟科技 点击进入
MS4988B S/D接口，16细分 7-35 - 1.5 730 双H桥 内置MOS 1 S/D -20 to 85 QFN28 瑞盟科技 点击进入
MS4998 S/D接口，16细分 7-35 - 2 750 双H桥 内置MOS 1 S/D -40 to 100 TSSOP28 瑞盟科技 点击进入
MS35711 S/D，256细分，预驱， 0.2A（拉电流）/0.4A（灌电流） 8-55 - - - 2 256 1 SPI -40 to 85 TSSOP38/eTSSOP38 瑞盟科技 点击进入
MS35930 运动控制，256细分，静音模式，堵转检测 4.75-36 1 2.5 570 双H桥 内置MOS 1 UART/SPI -40 to 125 TQFP48 瑞盟科技 点击进入
MS35229 IIC接口，256细分，低噪音 4.0-15 1 1.4 1000 双H桥 内置MOS 1 I²C -40 to 125 QFN16 瑞盟科技 点击进入
MS35779 S/D，256细分，静音模式，堵转检测 4.75-29 2 2.8 110 双H桥 内置MOS 1 S/D -40 to 125 QFN28 瑞盟科技 点击进入
MS35230 IIC接口，256细分，低噪音 4.0-15 1 1.4 1000 双H桥 内置MOS 1 I²C -40 to 125 SOP16/eTSSOP16 瑞盟科技 点击进入
MS31805 单级步进电机驱动 7.2-50 1.4 2 420 低边驱动 内置MOS 1 S/D -40 to 85 eTSSOP16 瑞盟科技 点击进入
MS35778 S/D，256细分，静音模式，堵转检测 4.75-29 2 2.8 120 双H桥 内置MOS 1 S/D -40 to 125 eTSSOP28 瑞盟科技 点击进入
MS35541 双路,运动控制 4.7-32 1.5 2 600 4个H桥 内置MOS 2 SPI -40 to 125 QFN48 瑞盟科技 点击进入
MS35777 S/D，256细分，静音模式 4.7-36 1.4 2 270 双H桥 内置MOS - STEP/DIR ’-40 to 125 eTSSOP28 瑞盟科技 点击进入
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