| 型号 | 车规级工业级 | 工艺 | 产品状态 | 封装/PCB | 极性 | 漏源击穿电压BVDSS(V) | 连续漏极电流ID(A) | 阈值电压VTH(V) | 典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) | 最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) | 典型导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) | 最大导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) | 典型导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) | 最大导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) | 栅源阈值电压VGS(th)(V) | 输入电容CISS(pF) | 栅极电荷 QG(nC) | 功耗PD(W) | 品牌 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NCES170P01KT | 工业级 | SiC MOS | New | TO-247 | N | 1700 | 7 | 3.5 | 1000 | 1300 | - | - | - | - | -10 to +24 | 132 | 10.9 | 110 | 新洁能 | 点击进入 |
| NCES170P01KDH | 工业级 | SiC | New | TO-263-7L HC | N | 1700 | 6.7 | 2.5 | 1000 | 1300 | - | - | - | - | -10 to +24 | 132 | 10.9 | 101 | 新洁能 | 点击进入 |