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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEAP40T17AD | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 275
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5670
总栅极电荷 QG(nC) 88.6
耗散功率PD(W) 250
品牌 新洁能

NCEAP40ND80G | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 90
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2300
总栅极电荷 QG(nC) 34.8
耗散功率PD(W) 83
品牌 新洁能

NCEAP40T35AVD | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 480
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.68
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 0.88
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 12850
总栅极电荷 QG(nC) 156.5
耗散功率PD(W) 380
品牌 新洁能

NCEAP40T20AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 300
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.95
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5834.6
总栅极电荷 QG(nC) 91
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCEAP40T17AG | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 235
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5150
总栅极电荷 QG(nC) 80
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能

NCEAP40T15GU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 240
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.09
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.45
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1.85
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5200
总栅极电荷 QG(nC) 91
耗散功率PD(W) 160
品牌 新洁能

NCEAP40T15AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 240
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.15
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4135
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 160
品牌 新洁能

NCEAP40T14G | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 210
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.65
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5000
总栅极电荷 QG(nC) 90
耗散功率PD(W) 160
品牌 新洁能

NCEAP40T11K | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3510
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEAP40T11G | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3510
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCEAP40T11AK | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 135
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2750
总栅极电荷 QG(nC) 38.5
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEAP30T17GU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 290
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.97
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.25
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5300
总栅极电荷 QG(nC) 90
耗散功率PD(W) 160
品牌 新洁能

NCEA6003X | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 3
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 68
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 90
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 80
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 110
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 299
总栅极电荷 QG(nC) 7.1
耗散功率PD(W) 1.7
品牌 新洁能

NCEAP015NH100LL | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 391
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.35
开启阈值电压VGS(th)(V) ±30
输入电容CISS(pF) 11800
总栅极电荷 QG(nC) 194
耗散功率PD(W) 405
品牌 新洁能

NCEAP038NH100G | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 161
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3876
总栅极电荷 QG(nC) 69.2
耗散功率PD(W) 188
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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