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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEAP011NH40GU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 321
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.85
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.15
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5750
总栅极电荷 QG(nC) 100
耗散功率PD(W) 214
品牌 新洁能

NCEAP027NH100GW | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6-DSC
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 224
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4045
总栅极电荷 QG(nC) 81
耗散功率PD(W) 294
品牌 新洁能

NCEAP025NH40AK | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 132
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3750
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 156
品牌 新洁能

NCEAP015N60LL | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 387
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9433
总栅极电荷 QG(nC) 141
耗散功率PD(W) 350
品牌 新洁能

NCEAP023NH100SL | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB sTOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 255
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5460
总栅极电荷 QG(nC) 87
耗散功率PD(W) 280
品牌 新洁能

NCEAP028NH80D | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 177
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.95
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3794
总栅极电荷 QG(nC) 61.7
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCEAP050NH150LL | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 211
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4762
总栅极电荷 QG(nC) 78.7
耗散功率PD(W) 500
品牌 新洁能

NCEAP030N85GW | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 5*6-DSC
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 175
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6776
总栅极电荷 QG(nC) 89.7
耗散功率PD(W) 202
品牌 新洁能

NCEAP020NH100LL | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 319
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7578
总栅极电荷 QG(nC) 123
耗散功率PD(W) 380
品牌 新洁能

NCEAP1520K | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 21
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 53.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 65
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 550
总栅极电荷 QG(nC) 11.3
耗散功率PD(W) 68
品牌 新洁能

NCEAP007NH40AX | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TSC5X7-10L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 442
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.58
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 0.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8220
总栅极电荷 QG(nC) 145
耗散功率PD(W) 246
品牌 新洁能

NCEAP098NH40GU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 53
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 15.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 710
总栅极电荷 QG(nC) 14
耗散功率PD(W) 42
品牌 新洁能

NCEAP025NH80D | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 223
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5976
总栅极电荷 QG(nC) 84.7
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCEAP038NH80G | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 130
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2956
总栅极电荷 QG(nC) 47.4
耗散功率PD(W) 132
品牌 新洁能

NCEAP021NH80GU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 266
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.25
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4520
总栅极电荷 QG(nC) 72
耗散功率PD(W) 294
品牌 新洁能
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