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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEAP028NH80G | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 218
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.65
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.25
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4196
总栅极电荷 QG(nC) 66
耗散功率PD(W) 288
品牌 新洁能

NCEAP12NH40AQ | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 40
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 12
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 674
总栅极电荷 QG(nC) 14.3
耗散功率PD(W) 36
品牌 新洁能

NCEA8295AG | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 82
漏极电流ID(A) 95
关断阈值电压VTH(V) 2.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5453
总栅极电荷 QG(nC) 100
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEAP021NH40AD | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 230
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5500
总栅极电荷 QG(nC) 89
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCEAP033NH80GU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 166
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2956
总栅极电荷 QG(nC) 47.4
耗散功率PD(W) 192
品牌 新洁能

NCEAP018NH100LT | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLT-16L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 350
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.35
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.65
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8900
总栅极电荷 QG(nC) 148
耗散功率PD(W) 395
品牌 新洁能

NCEAP090N20LT | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLT-16L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 141
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6600
总栅极电荷 QG(nC) 95
耗散功率PD(W) 483
品牌 新洁能

NCEAP066NH40GU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 62
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 12.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 805
总栅极电荷 QG(nC) 17
耗散功率PD(W) 48
品牌 新洁能

NCEAP012NH80LL | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 424
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.03
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11780
总栅极电荷 QG(nC) 168
耗散功率PD(W) 405
品牌 新洁能

NCEAP046NHD40AG | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 112
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2290
总栅极电荷 QG(nC) 38
耗散功率PD(W) 105
品牌 新洁能

NCEAP022NH40AQU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 145
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±40
输入电容CISS(pF) 2290
总栅极电荷 QG(nC) 38
耗散功率PD(W) 99
品牌 新洁能

NCEAP026NH40AQU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 115
关断阈值电压VTH(V) 3.1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1880
总栅极电荷 QG(nC) 32
耗散功率PD(W) 75
品牌 新洁能

NCEA6065G | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 65
关断阈值电压VTH(V) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3955.6
总栅极电荷 QG(nC) 81.7
耗散功率PD(W) 60
品牌 新洁能

NCEAP008NH40GU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 394
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.63
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 0.85
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 0.93
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7600
总栅极电荷 QG(nC) 140
耗散功率PD(W) 238
品牌 新洁能

NCEAP028NH100GU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 211
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.65
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3876
总栅极电荷 QG(nC) 69.2
耗散功率PD(W) 288
品牌 新洁能
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