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NCE90N340D | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 900
漏极电流ID(A) 16
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 300
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 340
输入电容CISS(pF) 2110
总栅极电荷 QG(nC) 53
耗散功率PD(W) 234
品牌 新洁能

NCE90N340 | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 900
漏极电流ID(A) 16
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 300
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 340
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2110
总栅极电荷 QG(nC) 53
耗散功率PD(W) 234
品牌 新洁能

NCE70N1K4 | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 700
漏极电流ID(A) 3.5
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1200
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1400
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 281
总栅极电荷 QG(nC) 5
耗散功率PD(W) 46
品牌 新洁能

NCE65N1K2 | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 3.8
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1050
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1200
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 316
总栅极电荷 QG(nC) 10
耗散功率PD(W) 46
品牌 新洁能

NCE65N360D | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 11
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 300
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 360
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 926
总栅极电荷 QG(nC) 26
耗散功率PD(W) 107
品牌 新洁能

NCE65N360 | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 11
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 300
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 360
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 926
总栅极电荷 QG(nC) 26
耗散功率PD(W) 107
品牌 新洁能

NCE65N360K | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 11
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 300
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 360
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 926
总栅极电荷 QG(nC) 26
耗散功率PD(W) 107
品牌 新洁能

NCE65N360F | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 11
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 300
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 360
开启阈值电压VGS(th)(V) ±30
输入电容CISS(pF) 926
总栅极电荷 QG(nC) 26
耗散功率PD(W) 32.6
品牌 新洁能

NCE90N800F | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 900
漏极电流ID(A) 7
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 720
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 800
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 595
总栅极电荷 QG(nC) 14.6
耗散功率PD(W) 73
品牌 新洁能

NCE90N800 | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 900
漏极电流ID(A) 7
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 720
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 800
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 595
总栅极电荷 QG(nC) 14.6
耗散功率PD(W) 84
品牌 新洁能

NCE90N800D | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 900
漏极电流ID(A) 7
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 720
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 800
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 595
总栅极电荷 QG(nC) 14.6
耗散功率PD(W) 84
品牌 新洁能

NCE90N800T | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 900
漏极电流ID(A) 7
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 720
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 800
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 595
总栅极电荷 QG(nC) 14.6
耗散功率PD(W) 84
品牌 新洁能

NCE90N800K | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 900
漏极电流ID(A) 7
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 720
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 800
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 595
总栅极电荷 QG(nC) 14.6
耗散功率PD(W) 84
品牌 新洁能

NCE70N220 | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 700
漏极电流ID(A) 15
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 195
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 220
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1432
总栅极电荷 QG(nC) 28.5
耗散功率PD(W) 133
品牌 新洁能

NCE70N760K | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 700
漏极电流ID(A) 6
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 680
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 760
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 540
总栅极电荷 QG(nC) 14.5
耗散功率PD(W) 84
品牌 新洁能
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