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NCE65N2K4I | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-251
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 2.1
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2000
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2400
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 113
总栅极电荷 QG(nC) 3.5
耗散功率PD(W) 25
品牌 新洁能

NCE65N2K4F | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 2.1
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2000
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2400
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 113
总栅极电荷 QG(nC) 3.5
耗散功率PD(W) 10.5
品牌 新洁能

NCE65N2K4D | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 2.1
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2000
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2400
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 113
总栅极电荷 QG(nC) 3.5
耗散功率PD(W) 25
品牌 新洁能

NCE65N580F | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 7.5
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 520
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 580
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 505
总栅极电荷 QG(nC) 14.4
耗散功率PD(W) 89
品牌 新洁能

NCE65N580K | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 7.5
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 520
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 580
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 505
总栅极电荷 QG(nC) 14.4
耗散功率PD(W) 89
品牌 新洁能

NCE65N230T | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 17
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 190
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 230
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 930
总栅极电荷 QG(nC) 19
耗散功率PD(W) 172
品牌 新洁能

NCE65N680D | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 6.7
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 600
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 680
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 485
总栅极电荷 QG(nC) 13.5
耗散功率PD(W) 81
品牌 新洁能

NCE65N680F | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 6.7
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 600
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 680
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 485
总栅极电荷 QG(nC) 13.5
耗散功率PD(W) 31.2
品牌 新洁能

NCE65N680I | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-251
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 6.7
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 600
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 680
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 485
总栅极电荷 QG(nC) 13.5
耗散功率PD(W) 81
品牌 新洁能

NCE65N680R | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB SOT-223
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 6.7
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 600
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 680
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 485
总栅极电荷 QG(nC) 13.5
耗散功率PD(W) 5.7
品牌 新洁能

NCE65N680K | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 6.7
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 600
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 680
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 485
总栅极电荷 QG(nC) 13.5
耗散功率PD(W) 81
品牌 新洁能

NCE70N290T | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 700
漏极电流ID(A) 13
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 260
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 295
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1082
总栅极电荷 QG(nC) 16.5
耗散功率PD(W) 124
品牌 新洁能

NCE70N380T | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 700
漏极电流ID(A) 10.5
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 330
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 390
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 850
总栅极电荷 QG(nC) 19.3
耗散功率PD(W) 107
品牌 新洁能

NCE70N380 | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 700
漏极电流ID(A) 10.5
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 340
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 380
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 850
总栅极电荷 QG(nC) 19.3
耗散功率PD(W) 107
品牌 新洁能

NCE70N900 | 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET 500-1700V N MOSFET

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产品ID 330
车规级工业级 工业级
制造工艺 SJ-IV
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 700
漏极电流ID(A) 5
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 820
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 900
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 471
总栅极电荷 QG(nC) 11
耗散功率PD(W) 73
品牌 新洁能
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