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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEAP065NHD40G | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 82
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 6.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 8.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1495
总栅极电荷 QG(nC) 31.5
耗散功率PD(W) 79
品牌 新洁能

NCEAP026NH40QU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 124
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.15
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1930
总栅极电荷 QG(nC) 35
耗散功率PD(W) 75
品牌 新洁能

NCEAP006NH40ASL | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB sTOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 450
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.62
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 0.76
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 10000
总栅极电荷 QG(nC) 160
耗散功率PD(W) 278
品牌 新洁能

NCEPA011NH40GU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 321
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.85
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.15
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5750
总栅极电荷 QG(nC) 100
耗散功率PD(W) 214
品牌 新洁能

NCEAP025N60G | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 165
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4485
总栅极电荷 QG(nC) 69.8
耗散功率PD(W) 136
品牌 新洁能

NCEA09N70AT | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 70
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8678
总栅极电荷 QG(nC) 128
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCEAP098NH40AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 48
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 650
总栅极电荷 QG(nC) 12
耗散功率PD(W) 42
品牌 新洁能

NCEAP050NHD40AG | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 97
关断阈值电压VTH(V) 3.1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.25
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1880
总栅极电荷 QG(nC) 32
耗散功率PD(W) 88
品牌 新洁能

NCEAP095NHD40AG | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 40
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 12.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 800
总栅极电荷 QG(nC) 14.6
耗散功率PD(W) 50
品牌 新洁能

NCEAP095NHD40G | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 51
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 17.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 875
总栅极电荷 QG(nC) 17.5
耗散功率PD(W) 54
品牌 新洁能

NCEAP090N20 | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 200
漏极电流ID(A) 113
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6600
总栅极电荷 QG(nC) 95
耗散功率PD(W) 340
品牌 新洁能

NCEAP035N60AG | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 120
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.65
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.35
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 73
耗散功率PD(W) 102
品牌 新洁能

NCEAP058NH150D | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 160
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4762
总栅极电荷 QG(nC) 78.7
耗散功率PD(W) 319
品牌 新洁能

NCEAP066NH40AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 58
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 780
总栅极电荷 QG(nC) 14.6
耗散功率PD(W) 48
品牌 新洁能

NCEA6020AK | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 28
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 40
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 973.2
总栅极电荷 QG(nC) 37.1
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能
联系电话
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