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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEAP019N10T | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 328
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 10800
总栅极电荷 QG(nC) 163
耗散功率PD(W) 517
品牌 新洁能

NCEAP40NB75AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 58
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1050
总栅极电荷 QG(nC) 18
耗散功率PD(W) 52
品牌 新洁能

NCEAP008NH40ASL | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB sTOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 395
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 0.95
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7150
总栅极电荷 QG(nC) 130
耗散功率PD(W) 268
品牌 新洁能

NCEAP039N10M | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 154
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4..3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8460
总栅极电荷 QG(nC) 136
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCEAP088NH40Q | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 49
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 825
总栅极电荷 QG(nC) 17
耗散功率PD(W) 40
品牌 新洁能

NCEAP025N60D | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 208
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.15
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.65
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5190
总栅极电荷 QG(nC) 78
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCEAP077NH40AQ | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 49
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 980
总栅极电荷 QG(nC) 19
耗散功率PD(W) 42
品牌 新洁能

NCEAP077NH40Q | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 54
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 13
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1000
总栅极电荷 QG(nC) 25
耗散功率PD(W) 42
品牌 新洁能

NCEAP055NH40AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 67
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 980
总栅极电荷 QG(nC) 18.5
耗散功率PD(W) 54
品牌 新洁能

NCEAP088NH40AQ | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 47
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 780
总栅极电荷 QG(nC) 14.6
耗散功率PD(W) 40
品牌 新洁能

NCEAP022NH40AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 145
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2290
总栅极电荷 QG(nC) 38
耗散功率PD(W) 107
品牌 新洁能

NCEAP020NH40AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 170
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2550
总栅极电荷 QG(nC) 42
耗散功率PD(W) 137
品牌 新洁能

NCEAP038NH40AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 96
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1370
总栅极电荷 QG(nC) 25
耗散功率PD(W) 72
品牌 新洁能

NCEAP046NHD40G | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 112
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2450
总栅极电荷 QG(nC) 45
耗散功率PD(W) 105
品牌 新洁能

NCEAP036N10MSL | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB sTOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 215
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.55
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8910
总栅极电荷 QG(nC) 135
耗散功率PD(W) 310
品牌 新洁能
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