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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEAP020N10LT | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLT-16L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 296
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.25
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 15500
总栅极电荷 QG(nC) 252
耗散功率PD(W) 395
品牌 新洁能

NCEA2304 | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 4.8
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 61
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 73
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 39
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 46
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 319
总栅极电荷 QG(nC) 9
耗散功率PD(W) 1.7
品牌 新洁能

NCEAP40T20ASL | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB sTOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 338
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5850
总栅极电荷 QG(nC) 72
耗散功率PD(W) 268
品牌 新洁能

NCEAP058NH150 | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 160
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4762
总栅极电荷 QG(nC) 78.7
耗散功率PD(W) 319
品牌 新洁能

NCEAP013NH40AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 274
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.15
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4415
总栅极电荷 QG(nC) 72
耗散功率PD(W) 197
品牌 新洁能

NCEAP048NH150 | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 175
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7150
总栅极电荷 QG(nC) 106
耗散功率PD(W) 326
品牌 新洁能

NCEAP085NHD40AG | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 61
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 980
总栅极电荷 QG(nC) 18.5
耗散功率PD(W) 65
品牌 新洁能

NCEAP015NH40GU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 257
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3950
总栅极电荷 QG(nC) 74
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能

NCEAP026NH40GU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 126
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.25
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1930
总栅极电荷 QG(nC) 35
耗散功率PD(W) 84
品牌 新洁能

NCEAP026NH40AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 122
关断阈值电压VTH(V) 3.1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.35
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1880
总栅极电荷 QG(nC) 41
耗散功率PD(W) 84
品牌 新洁能

NCEAP022NH40GU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 160
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2450
总栅极电荷 QG(nC) 45
耗散功率PD(W) 107
品牌 新洁能

NCEAP065NHD40AG | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1500
总栅极电荷 QG(nC) 25
耗散功率PD(W) 79
品牌 新洁能

NCEAP25N10AQ | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 28
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 21.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 28
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 37.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1317.6
总栅极电荷 QG(nC) 27.6
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能

NCEAP063N85G | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 97
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.65
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2719
总栅极电荷 QG(nC) 47
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCEAP038NH40GU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 102
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1460
总栅极电荷 QG(nC) 30
耗散功率PD(W) 72
品牌 新洁能
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