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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEAP4075AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 78
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1050
总栅极电荷 QG(nC) 18
耗散功率PD(W) 65
品牌 新洁能

NCEAP15T14LL | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 165
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6100
总栅极电荷 QG(nC) 90
耗散功率PD(W) 375
品牌 新洁能

NCEAP040NH150LL | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 255
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7150
总栅极电荷 QG(nC) 106
耗散功率PD(W) 600
品牌 新洁能

NCEAP008NH40AGW | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 365
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.05
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7150
总栅极电荷 QG(nC) 230
耗散功率PD(W) 238
品牌 新洁能

NCEAP018N60GW | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 244
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4930
总栅极电荷 QG(nC) 79
耗散功率PD(W) 263
品牌 新洁能

NCEAP011NH40AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 296
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.95
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.35
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5400
总栅极电荷 QG(nC) 89
耗散功率PD(W) 214
品牌 新洁能

NCEA09N70A | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 70
漏极电流ID(A) 180
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8763
总栅极电荷 QG(nC) 128
耗散功率PD(W) 474
品牌 新洁能

NCEAP015NH40AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 242
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.35
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3650
总栅极电荷 QG(nC) 62
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能

NCEAP095N10AG | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 68
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 13.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2600
总栅极电荷 QG(nC) 45
耗散功率PD(W) 96
品牌 新洁能

NCEA6025Q | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 25
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 16
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 16
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 25
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1630
总栅极电荷 QG(nC) 39
耗散功率PD(W) 41.7
品牌 新洁能

A2N7002K | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB SOT-23
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 0.3
关断阈值电压VTH(V) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.95
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 21
总栅极电荷 QG(nC) 1.7
耗散功率PD(W) 0.35
品牌 新洁能

NCEAP25ND10AG | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 31
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 21.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 30
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 38
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1256
总栅极电荷 QG(nC) 26.3
耗散功率PD(W) 54
品牌 新洁能

NCEAP017NH40AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 200
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3000
总栅极电荷 QG(nC) 52
耗散功率PD(W) 156
品牌 新洁能

NCEAP008NH40AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 363
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.79
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7150
总栅极电荷 QG(nC) 130
耗散功率PD(W) 238
品牌 新洁能

NCEAP4075GU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 86
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 6.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1190
总栅极电荷 QG(nC) 24
耗散功率PD(W) 65
品牌 新洁能
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