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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP010NH40LL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 454
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.88
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.05
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.25
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1.55
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9800
总栅极电荷 QG(nC) 160
耗散功率PD(W) 390
品牌 新洁能

NCEP017NH40A | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 270
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8200
总栅极电荷 QG(nC) 135
耗散功率PD(W) 210
品牌 新洁能

NCEP018NH60LL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 296
关断阈值电压VTH(V) 3.4
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5346
总栅极电荷 QG(nC) 79
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCEP007NH40AX | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TSC5X7-10L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 427
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 0.75
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8220
总栅极电荷 QG(nC) 135
耗散功率PD(W) 246
品牌 新洁能

NCEP007NH40X | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TSC5X7-10L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 442
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.54
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 0.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 0.78
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9800
总栅极电荷 QG(nC) 160
耗散功率PD(W) 246
品牌 新洁能

NCEP017NH40 | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 279
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.14
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.37
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9800
总栅极电荷 QG(nC) 160
耗散功率PD(W) 210
品牌 新洁能

NCEP028NH100AGU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 215
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4270
总栅极电荷 QG(nC) 80
耗散功率PD(W) 242
品牌 新洁能

NCEP056NH80 | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 97
关断阈值电压VTH(V) 3,5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1918
总栅极电荷 QG(nC) 30.5
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCEP021NH100 | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 313
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11800
总栅极电荷 QG(nC) 194
耗散功率PD(W) 385
品牌 新洁能

NCEP037NH100D | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 190
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4054
总栅极电荷 QG(nC) 81
耗散功率PD(W) 260
品牌 新洁能

NCEP018NH100VD | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-263-6L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 335
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8900
总栅极电荷 QG(nC) 148
耗散功率PD(W) 375
品牌 新洁能

NCEP025NH100 | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 247
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7578
总栅极电荷 QG(nC) 123
耗散功率PD(W) 275
品牌 新洁能

NCEP025NH80 | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 216
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5600
总栅极电荷 QG(nC) 86.5
耗散功率PD(W) 220
品牌 新洁能

NCEP065NHD40AG | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 78
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1370
总栅极电荷 QG(nC) 25
耗散功率PD(W) 65
品牌 新洁能

NCEP13NHD40AG | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 38
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 10.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 650
总栅极电荷 QG(nC) 12
耗散功率PD(W) 30
品牌 新洁能
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