简体 繁体 EN Maori bosnian Quechua a n:n zongjia hrvatski Eʋegbe Кыргыз тили suomi ТаjikӣName 한국어 albanian italiano baskoa ਪੰਜਾਬੀName potakuyan amharic Mizo tawng Soomaali frysk ελληνικά adeta کوردی سۆرانی ትግርኛ igbo português اوردو slovenščina Deutsch മലമാലം eesti keel मराठीName IsiZulu saseNingizimu Afrika luganda sesotho Malay български Македонски Türkçe Kurdî سنڌي LëtzebuergeschName ދިވާރީވް hmong پښتوName ဗာရမ် Արմենյան คนไทย Malagasy मरातिलीName Svenska कुकुरमुत्ता Kreyòl ayisyen Română తెలుగుName Монгол ກະຣຸນາ aymara. Pilipino 日本語 Iaith Weleg Gàidhlig na h-Alba Татар Україна latviešu galico Polski Sanskrit cebuano සිංගාපුර් català assamese Türkmençe Malti Lingala Tiếng Việt o'zbek Lietuva Bamanankan Shona ꯃꯦꯏꯇꯦꯏ꯫ Afrikaans isiXhosa ئۇيغۇر dansk IndonesiaName afrikaans lifiava azerbaijani বেঙ্গালী بالعربية தாமில் basa Sunda Ilocano magyar ಕನ್ನಡ್Name היברית Slovenská ភាសា​ខ្មែរName ગુજરાતી Íris Ma frɛ ייַדיש ÍslandName ଓଡିଆ Kiswahili қазақ Esperanto БеларускаяName हिन्दी basa jawa हमार कपार दर्द करता। Persian Српски Русский язык ჯორჯიანიName panekeʻhaka český Français नेपालीName Latina गोंगेन हें नांव Yoruba nederlands Norge dictionary variant Kinyarwanda ondoho hinaassicurasol Sepeti Español
登录 注册
返回
热门搜索： MLCC贴片电容 IGBT模块 MOSFET 肖特基二极管 电源管理IC

产品搜索结果

包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP025NH100T | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 310
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7578
总栅极电荷 QG(nC) 123
耗散功率PD(W) 435
品牌 新洁能

NCEP014NH60AGU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 353
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6536
总栅极电荷 QG(nC) 115
耗散功率PD(W) 280
品牌 新洁能

NCEP065NHD40G | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.4
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 6.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 8.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1460
总栅极电荷 QG(nC) 30
耗散功率PD(W) 65
品牌 新洁能

NCEP021NH80SL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB sTOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 260
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4316
总栅极电荷 QG(nC) 80
耗散功率PD(W) 270
品牌 新洁能

NCEP025NH150TP | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-247P
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 313
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 10600
总栅极电荷 QG(nC) 158
耗散功率PD(W) 560
品牌 新洁能

NCEP020NH80T | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 315
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.65
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9256
总栅极电荷 QG(nC) 136
耗散功率PD(W) 370
品牌 新洁能

NCEP027NH100GW | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6-DSC
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 213
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4054
总栅极电荷 QG(nC) 81
耗散功率PD(W) 245
品牌 新洁能

NCEP021NH80GW | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6-DSC
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 235
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4316
总栅极电荷 QG(nC) 80
耗散功率PD(W) 245
品牌 新洁能

NCEP015NH80LL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 374
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.25
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9256
总栅极电荷 QG(nC) 136
耗散功率PD(W) 390
品牌 新洁能

NCEP017NH40GU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 213
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3200
总栅极电荷 QG(nC) 55
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCEP020NH80 | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 290
关断阈值电压VTH(V) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9256
总栅极电荷 QG(nC) 136
耗散功率PD(W) 330
品牌 新洁能

NCEP020NH80D | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 298
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9256
总栅极电荷 QG(nC) 136
耗散功率PD(W) 330
品牌 新洁能

NCEP042NH150LL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 240
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5190
总栅极电荷 QG(nC) 91
耗散功率PD(W) 560
品牌 新洁能

NCEP018NH120LL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 120
漏极电流ID(A) 323
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8946
总栅极电荷 QG(nC) 122
耗散功率PD(W) 400
品牌 新洁能

NCEP088NHD80G | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 72
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1358
总栅极电荷 QG(nC) 22.4
耗散功率PD(W) 88
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
微信二维码
二维码
TOP 返回顶部