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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP013NH100TP | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-247P
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 485
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 24020
总栅极电荷 QG(nC) 386.5
耗散功率PD(W) 600
品牌 新洁能

NCEP021NH80GU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 244
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4316
总栅极电荷 QG(nC) 80
耗散功率PD(W) 245
品牌 新洁能

NCEP016NH40AQW | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN3.3X3.3-SD-DSC-9L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 199
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3700
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 108
品牌 新洁能

NCEP046NH80QW | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.3*3.3-SD-DSC-9L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 118
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1918
总栅极电荷 QG(nC) 30.5
耗散功率PD(W) 108
品牌 新洁能

NCEP046NH80AQV | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN3.3X3.3-SD-DSC-8L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 118
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 5.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2075
总栅极电荷 QG(nC) 39.5
耗散功率PD(W) 108
品牌 新洁能

NCEP066NH80AGU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 86
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1350
总栅极电荷 QG(nC) 27
耗散功率PD(W) 83
品牌 新洁能

NCEP028NH100VD | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-263-6L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 230
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5460
总栅极电荷 QG(nC) 87
耗散功率PD(W) 260
品牌 新洁能

NCEP017NH80SL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB sTOLL-5L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 294
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5600
总栅极电荷 QG(nC) 86.5
耗散功率PD(W) 280
品牌 新洁能

NCEP023NH100SL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB sTOLL-5L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 261
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5460
总栅极电荷 QG(nC) 87
耗散功率PD(W) 280
品牌 新洁能

NCEP020NH100LT | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLT-16L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 319
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7578
总栅极电荷 QG(nC) 123
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能

NCEP050NHD40AG | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 96
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.25
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1880
总栅极电荷 QG(nC) 32
耗散功率PD(W) 75
品牌 新洁能

NCEP021NH40 | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 236
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.55
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5750
总栅极电荷 QG(nC) 100
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCEP038NH100G | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 157
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3876
总栅极电荷 QG(nC) 63
耗散功率PD(W) 160
品牌 新洁能

NCEP095NH150LL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 121.5
关断阈值电压VTH(V) 3.4
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2590
总栅极电荷 QG(nC) 45
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCEP027NH100GU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 225
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.35
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4054
总栅极电荷 QG(nC) 81
耗散功率PD(W) 245
品牌 新洁能
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