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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP016NH40QW | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN3.3*3.3-SD-DSC-9L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 40
关断阈值电压VTH(V) 205
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 2.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 67
耗散功率PD(W) 108
品牌 新洁能

NCEP046NH80AQW | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.3*3.3-SD-DSC-9L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 118
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 5.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2075
总栅极电荷 QG(nC) 39.5
耗散功率PD(W) 108
品牌 新洁能

NCEP088NH40AQ | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.3X3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 48
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 770
总栅极电荷 QG(nC) 15
耗散功率PD(W) 33
品牌 新洁能

NCEP088NH40Q | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.383.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 49
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 805
总栅极电荷 QG(nC) 17
耗散功率PD(W) 33
品牌 新洁能

NCEP012NH80LT | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLT-16L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 428
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11780
总栅极电荷 QG(nC) 168
耗散功率PD(W) 405
品牌 新洁能

NCEP021NH100T | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 340
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11800
总栅极电荷 QG(nC) 194
耗散功率PD(W) 455
品牌 新洁能

NCEP033NH100D | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 218
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.35
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5348
总栅极电荷 QG(nC) 88
耗散功率PD(W) 260
品牌 新洁能

NCEP020NH100LL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 319
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7578
总栅极电荷 QG(nC) 123
耗散功率PD(W) 380
品牌 新洁能

NCEP095NHD40G | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 52
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 17.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 850
总栅极电荷 QG(nC) 16
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能

NCEP046NHD40G | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 111
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 5.95
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2450
总栅极电荷 QG(nC) 45
耗散功率PD(W) 88
品牌 新洁能

NCEP046NHD40AG | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 109
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2290
总栅极电荷 QG(nC) 38
耗散功率PD(W) 88
品牌 新洁能

NCEP023NH100 | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 298
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.75
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8900
总栅极电荷 QG(nC) 148
耗散功率PD(W) 375
品牌 新洁能

NCEP033NH100 | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 210
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5348
总栅极电荷 QG(nC) 88
耗散功率PD(W) 260
品牌 新洁能

NCEP058NH30Q | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.3X3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 61
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 5.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1400
总栅极电荷 QG(nC) 23
耗散功率PD(W) 30
品牌 新洁能

NCEP014NH60GW | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6-DSC
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 318
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5478
总栅极电荷 QG(nC) 97.7
耗散功率PD(W) 280
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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