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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP021NH40A | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-220-
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 222
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.25
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5400
总栅极电荷 QG(nC) 89
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCEP12NH40Q | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 41
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 19
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 710
总栅极电荷 QG(nC) 14
耗散功率PD(W) 30
品牌 新洁能

NCEP098NH40GU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 48
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 16
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 710
总栅极电荷 QG(nC) 14
耗散功率PD(W) 35
品牌 新洁能

NCEP098NH40AGU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 46
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 650
总栅极电荷 QG(nC) 12
耗散功率PD(W) 35
品牌 新洁能

NCEP12NH40AQ | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 39
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 10.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 12.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 650
总栅极电荷 QG(nC) 12
耗散功率PD(W) 30
品牌 新洁能

NCEP025NH40A | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 204
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.55
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3650
总栅极电荷 QG(nC) 62
耗散功率PD(W) 190
品牌 新洁能

NCEP021NH40AD | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 230
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.52
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5400
总栅极电荷 QG(nC) 89
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCEP030NH30Q | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 104
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.35
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.85
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2700
总栅极电荷 QG(nC) 35
耗散功率PD(W) 50
品牌 新洁能

NCEP19NH80AG | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 32
关断阈值电压VTH(V) 2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 16
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 19
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 27.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 685
总栅极电荷 QG(nC) 12
耗散功率PD(W) 32
品牌 新洁能

NCEP15NH80AG | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 41
关断阈值电压VTH(V) 2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 12.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 15
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 17.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 21.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 856
总栅极电荷 QG(nC) 14.8
耗散功率PD(W) 42
品牌 新洁能

NCEP095NH150G | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 91
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2590
总栅极电荷 QG(nC) 45
耗散功率PD(W) 160
品牌 新洁能

NCEP018NH100LT | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLT-16L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 100
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.65
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8900
总栅极电荷 QG(nC) 135
耗散功率PD(W) 400
品牌 新洁能

NCEP028NH100LL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 261
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5460
总栅极电荷 QG(nC) 87
耗散功率PD(W) 320
品牌 新洁能

NCEP085NHD40G | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 63
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 12.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1030
总栅极电荷 QG(nC) 20.5
耗散功率PD(W) 55
品牌 新洁能

NCEP018NH100LL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 351
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.65
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8900
总栅极电荷 QG(nC) 148
耗散功率PD(W) 400
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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