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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP023NH100D | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 298
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.45
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8900
总栅极电荷 QG(nC) 148
耗散功率PD(W) 375
品牌 新洁能

NCEP023NH100T | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 325
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8900
总栅极电荷 QG(nC) 148
耗散功率PD(W) 445
品牌 新洁能

NCEP025NH40 | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 206
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3950
总栅极电荷 QG(nC) 74
耗散功率PD(W) 190
品牌 新洁能

NCEP095NHD40AG | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 49
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 795
总栅极电荷 QG(nC) 14
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能

NCEP010NH30GU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 292
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.83
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.45
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4250
总栅极电荷 QG(nC) 57
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEP048NH150VD | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-263-7L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 182
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 8464
总栅极电荷 QG(nC) 106
耗散功率PD(W) 323
品牌 新洁能

NCEP018NH80T | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 316
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11780
总栅极电荷 QG(nC) 168
耗散功率PD(W) 355
品牌 新洁能

NCEP018NH80D | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 309
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.45
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11780
总栅极电荷 QG(nC) 168
耗散功率PD(W) 320
品牌 新洁能

NCEP018NH80 | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 309
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.45
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11780
总栅极电荷 QG(nC) 168
耗散功率PD(W) 320
品牌 新洁能

NCEP066NH80GU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1406
总栅极电荷 QG(nC) 24.7
耗散功率PD(W) 75
品牌 新洁能

NCEP066NH80QU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 77
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1420
总栅极电荷 QG(nC) 23.9
耗散功率PD(W) 75
品牌 新洁能

NCEP048NH100D | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 167
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3150
总栅极电荷 QG(nC) 58
耗散功率PD(W) 260
品牌 新洁能

NCEP011NH40ASL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB sTOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 333
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.95
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.25
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5400
总栅极电荷 QG(nC) 89
耗散功率PD(W) 250
品牌 新洁能

NCEP011NH40SL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB sTOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 348
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.85
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.15
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5750
总栅极电荷 QG(nC) 100
耗散功率PD(W) 250
品牌 新洁能

NCEP077NH40AQ | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 51
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 980
总栅极电荷 QG(nC) 18.5
耗散功率PD(W) 35
品牌 新洁能
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