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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP050NH150LL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 205
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4762
总栅极电荷 QG(nC) 78.7
耗散功率PD(W) 500
品牌 新洁能

NCEP015NH40AGU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB PDFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 242
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3650
总栅极电荷 QG(nC) 62
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEP048NH100 | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 170
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3150
总栅极电荷 QG(nC) 58
耗散功率PD(W) 260
品牌 新洁能

NCEP012NH80LL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 80
漏极电流ID(A) 428
关断阈值电压VTH(V) 3.4
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11780
总栅极电荷 QG(nC) 168
耗散功率PD(W) 405
品牌 新洁能

NCEP006NH40ASL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB sTOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 489
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 0.65
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9880
总栅极电荷 QG(nC) 145
耗散功率PD(W) 280
品牌 新洁能

NCEP006NH40SL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB sTOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 509
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.35
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 0.6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 0.55
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 0.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 10300
总栅极电荷 QG(nC) 180
耗散功率PD(W) 280
品牌 新洁能

NCEP015NH30QU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 183
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.25
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.55
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3135
总栅极电荷 QG(nC) 37
耗散功率PD(W) 83
品牌 新洁能

NCEP008NH40GW | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 353
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.73
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7600
总栅极电荷 QG(nC) 140
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCEP008NH40AGW | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 337
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.85
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7150
总栅极电荷 QG(nC) 130
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCEP009NH40LL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 496
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.63
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 0.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 10300
总栅极电荷 QG(nC) 180
耗散功率PD(W) 400
品牌 新洁能

NCEP009NH40ALL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 483
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.71
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 0.95
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9880
总栅极电荷 QG(nC) 145
耗散功率PD(W) 400
品牌 新洁能

NCEP022NH40QU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 153
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2450
总栅极电荷 QG(nC) 45
耗散功率PD(W) 83
品牌 新洁能

NCEP022NH40GU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 159
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2450
总栅极电荷 QG(nC) 45
耗散功率PD(W) 89
品牌 新洁能

NCEP022NH40AQU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 136
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2290
总栅极电荷 QG(nC) 38
耗散功率PD(W) 83
品牌 新洁能

NCEP020NH40GU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 190
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.65
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 3.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2740
总栅极电荷 QG(nC) 50
耗散功率PD(W) 115
品牌 新洁能
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