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NCEP020NH40AGU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 166
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2550
总栅极电荷 QG(nC) 42
耗散功率PD(W) 115
品牌 新洁能

NCEP017NH40AGU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 188
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3000
总栅极电荷 QG(nC) 52
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCEP048NH100G | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 137
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3150
总栅极电荷 QG(nC) 58
耗散功率PD(W) 145
品牌 新洁能

NCEP028NH100GU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 230
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3876
总栅极电荷 QG(nC) 69.2
耗散功率PD(W) 242
品牌 新洁能

NCEP026NH40AQU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 111
关断阈值电压VTH(V) 3.1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1880
总栅极电荷 QG(nC) 32
耗散功率PD(W) 62
品牌 新洁能

NCEP026NH40QU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 116
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.25
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1930
总栅极电荷 QG(nC) 35
耗散功率PD(W) 62
品牌 新洁能

NCEP026NH40GU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 123
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.25
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.9
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1930
总栅极电荷 QG(nC) 35
耗散功率PD(W) 70
品牌 新洁能

NCEP038NH40AGU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 93
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1370
总栅极电荷 QG(nC) 25
耗散功率PD(W) 60
品牌 新洁能

NCEP038NH40GU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 99
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1460
总栅极电荷 QG(nC) 30
耗散功率PD(W) 60
品牌 新洁能

NCEP011NH40AGU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 300
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.95
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.25
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5400
总栅极电荷 QG(nC) 89
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能

NCEP015NH40GU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 250
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3950
总栅极电荷 QG(nC) 74
耗散功率PD(W) 150
品牌 新洁能

NCEP011NH40GU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 313
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.85
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.15
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5750
总栅极电荷 QG(nC) 100
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能

NCEP055NH40AGU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 65
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 980
总栅极电荷 QG(nC) 18.5
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能

NCEP055NH40GU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 68
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 11
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1050
总栅极电荷 QG(nC) 21
耗散功率PD(W) 45
品牌 新洁能

NCEP013NH40AGU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 267
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.05
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4415
总栅极电荷 QG(nC) 72
耗散功率PD(W) 165
品牌 新洁能
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15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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