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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP018NH30AGU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 147
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.65
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1600
总栅极电荷 QG(nC) 24
耗散功率PD(W) 69
品牌 新洁能

NCEP058NH150T | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 187
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4762
总栅极电荷 QG(nC) 78.7
耗散功率PD(W) 440
品牌 新洁能

NCEP058NH150D | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 160
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4762
总栅极电荷 QG(nC) 78.7
耗散功率PD(W) 320
品牌 新洁能

NCEP058NH150 | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 160
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 4.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 5.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4762
总栅极电荷 QG(nC) 78.7
耗散功率PD(W) 320
品牌 新洁能

NCEP015NH100LL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 380
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 14160
总栅极电荷 QG(nC) 214
耗散功率PD(W) 405
品牌 新洁能

NCEP015NH30AGU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 180
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2330
总栅极电荷 QG(nC) 32
耗散功率PD(W) 89
品牌 新洁能

NCEP015NH30GU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 189
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.25
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.55
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3135
总栅极电荷 QG(nC) 37
耗散功率PD(W) 89
品牌 新洁能

NCEP015NH30AQU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 174
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.7
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2330
总栅极电荷 QG(nC) 32
耗散功率PD(W) 83
品牌 新洁能

NCEP013NH40GU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 276
关断阈值电压VTH(V) 1.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.95
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 1.35
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 2.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4710
总栅极电荷 QG(nC) 85
耗散功率PD(W) 165
品牌 新洁能

NCEP026NH40AGU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 119
关断阈值电压VTH(V) 3.1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1880
总栅极电荷 QG(nC) 32
耗散功率PD(W) 70
品牌 新洁能

NCEP023NH85AGU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 250
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5140
总栅极电荷 QG(nC) 88.9
耗散功率PD(W) 242
品牌 新洁能

NCEP008NH40SL | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB sTOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 40
漏极电流ID(A) 420
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 0.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 0.85
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 0.95
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 1.35
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7600
总栅极电荷 QG(nC) 140
耗散功率PD(W) 270
品牌 新洁能

NCEP014NH60GU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 318
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5478
总栅极电荷 QG(nC) 97.7
耗散功率PD(W) 280
品牌 新洁能

NCEP023NH85GU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 85
漏极电流ID(A) 245
关断阈值电压VTH(V) 3.4
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4196
总栅极电荷 QG(nC) 66
耗散功率PD(W) 242
品牌 新洁能

NCEP018NH30QU | 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 342
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-III
封装/PCB DFN 3.3*3.3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 30
漏极电流ID(A) 144
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.85
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1900
总栅极电荷 QG(nC) 30
耗散功率PD(W) 62
品牌 新洁能
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