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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP1570GU | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 70
关断阈值电压VTH(V) 3.1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 13.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2000
总栅极电荷 QG(nC) 35
耗散功率PD(W) 160
品牌 新洁能

NCEP1545AG | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 30
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1690
总栅极电荷 QG(nC) 26
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCEP1545G | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 3.1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 29
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1300
总栅极电荷 QG(nC) 21.1
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCEP1520G | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 56
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 68
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 600
总栅极电荷 QG(nC) 12
耗散功率PD(W) 68
品牌 新洁能

NCEP1545AK | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 30
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 45
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1935
总栅极电荷 QG(nC) 33
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCEP1545K | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 3.1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 27.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1300
总栅极电荷 QG(nC) 21.1
耗散功率PD(W) 130
品牌 新洁能

NCEP1520BK | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 0.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 55
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 62
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 59
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 65
导通电阻RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 66
导通电阻RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 80
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1386
总栅极电荷 QG(nC) 27.4
耗散功率PD(W) 68
品牌 新洁能

NCEP1520AK | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 56
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 62
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 68
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 82
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 800
总栅极电荷 QG(nC) 15
耗散功率PD(W) 68
品牌 新洁能

NCEP1520K | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 20
关断阈值电压VTH(V) 3.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 59
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 65
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 600
总栅极电荷 QG(nC) 12
耗散功率PD(W) 68
品牌 新洁能

NCEP15T14D | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 140
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6000
总栅极电荷 QG(nC) 80
耗散功率PD(W) 320
品牌 新洁能

NCEP1580D | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 10.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 12.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3200
总栅极电荷 QG(nC) 44.1
耗散功率PD(W) 210
品牌 新洁能

NCEP1570D | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 70
关断阈值电压VTH(V) 3.1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 13.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2000
总栅极电荷 QG(nC) 35
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能

NCEP15T14 | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 140
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6000
总栅极电荷 QG(nC) 80
耗散功率PD(W) 320
品牌 新洁能

NCEP1580 | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 10.4
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 12.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3200
总栅极电荷 QG(nC) 44.1
耗散功率PD(W) 210
品牌 新洁能

NCEP1570 | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 70
关断阈值电压VTH(V) 3.1
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 13.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 15
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2000
总栅极电荷 QG(nC) 35
耗散功率PD(W) 200
品牌 新洁能
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