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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEP01T13LL | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 160
关断阈值电压VTH(V) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.3
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 7500
总栅极电荷 QG(nC) 100
耗散功率PD(W) 260
品牌 新洁能

NCEP01T30T | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 300
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.1
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 18950
总栅极电荷 QG(nC) 314
耗散功率PD(W) 520
品牌 新洁能

NCEP01T25T | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 250
关断阈值电压VTH(V) 3.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 15700
总栅极电荷 QG(nC) 208
耗散功率PD(W) 380
品牌 新洁能

NCEP01T18T | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 180
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.7
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 11500
总栅极电荷 QG(nC) 158
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCEP0178AF | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 78
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 12
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4200
总栅极电荷 QG(nC) 65
耗散功率PD(W) 40
品牌 新洁能

NCEP0178F | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 78
关断阈值电压VTH(V) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3500
总栅极电荷 QG(nC) 48
耗散功率PD(W) 40
品牌 新洁能

NCEP0160F | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 60
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 10.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2500
总栅极电荷 QG(nC) 37
耗散功率PD(W) 30
品牌 新洁能

NCEP0135AF | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220F
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 35
关断阈值电压VTH(V) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 16
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 20
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 27
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1600
总栅极电荷 QG(nC) 26
耗散功率PD(W) 25
品牌 新洁能

NCEP0140AL | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-251S
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 27
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1600
总栅极电荷 QG(nC) 26
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCEP0178AL | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-251
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 78
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 12
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4200
总栅极电荷 QG(nC) 65
耗散功率PD(W) 125
品牌 新洁能

NCEP0178AK | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 78
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 12
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4200
总栅极电荷 QG(nC) 65
耗散功率PD(W) 125
品牌 新洁能

NCEP0135AK | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 35
关断阈值电压VTH(V) 2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 18
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 23
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 22
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 27
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1450
总栅极电荷 QG(nC) 25
耗散功率PD(W) 70
品牌 新洁能

NCEP0116K | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

查看详情
产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 16
关断阈值电压VTH(V) 3.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 78
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 95
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 322
总栅极电荷 QG(nC) 5.6
耗散功率PD(W) 55
品牌 新洁能

NCEP0116AS | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 16
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.9
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 9.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.1
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 12
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4960
总栅极电荷 QG(nC) 63.8
耗散功率PD(W) 3.5
品牌 新洁能

NCEP0114AS | 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 12-300V N MOSFET

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产品ID 341
车规级工业级 工业级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB SOP-8
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 14
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 8.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 9.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 13
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4420
总栅极电荷 QG(nC) 64
耗散功率PD(W) 3.5
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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