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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEA65NF099T | 500-1050V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 345
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟道超结SJ-IV NF
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 36
关断阈值电压VTH(V) 4
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 90
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 99
开启阈值电压VGS(th)(V) ±30
输入电容CISS(pF) 3000
总栅极电荷 QG(nC) 45
耗散功率PD(W) 346
品牌 新洁能

NCEA60NF019T | 500-1050V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 345
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟道超结SJ-IV NF
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 600
漏极电流ID(A) 107
关断阈值电压VTH(V) 4
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 17
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 19
开启阈值电压VGS(th)(V) ±30
输入电容CISS(pF) 11140
总栅极电荷 QG(nC) 180
耗散功率PD(W) 532
品牌 新洁能

NCEA60NF031T | 500-1050V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 345
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟道超结SJ-IV NF
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 600
漏极电流ID(A) 73
关断阈值电压VTH(V) 4
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 31
开启阈值电压VGS(th)(V) ±30
输入电容CISS(pF) 8100
总栅极电荷 QG(nC) 124
耗散功率PD(W) 490
品牌 新洁能

NCEA60NF040T | 500-1050V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 345
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟道超结SJ-IV NF
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 600
漏极电流ID(A) 61
关断阈值电压VTH(V) 4
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 35
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 40
开启阈值电压VGS(th)(V) ±30
输入电容CISS(pF) 5560
总栅极电荷 QG(nC) 105
耗散功率PD(W) 411
品牌 新洁能

NCEA60NF055T | 500-1050V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 345
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟道超结SJ-IV NF
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 600
漏极电流ID(A) 51
关断阈值电压VTH(V) 4
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 50
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 55
开启阈值电压VGS(th)(V) ±30
输入电容CISS(pF) 3200
总栅极电荷 QG(nC) 60
耗散功率PD(W) 378
品牌 新洁能

NCEA60NF080T | 500-1050V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 345
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟道超结SJ-IV NF
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 600
漏极电流ID(A) 41
关断阈值电压VTH(V) 4
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 70
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 80
开启阈值电压VGS(th)(V) ±30
输入电容CISS(pF) 2900
总栅极电荷 QG(nC) 44
耗散功率PD(W) 351
品牌 新洁能

NCEA65NF068D7 | 500-1050V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 345
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟道超结SJ-IV NF
封装/PCB TO-263-7L
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 650
漏极电流ID(A) 45
关断阈值电压VTH(V) 4.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 60
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 68
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 3900
总栅极电荷 QG(nC) 65
耗散功率PD(W) 371
品牌 新洁能

NCEAP15T14D | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 140
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.4
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5900
总栅极电荷 QG(nC) 80
耗散功率PD(W) 320
品牌 新洁能

NCEAP15T14 | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-220
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 150
漏极电流ID(A) 140
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 5.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 6.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5500
总栅极电荷 QG(nC) 80
耗散功率PD(W) 320
品牌 新洁能

NCEA0130AG | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 36
关断阈值电压VTH(V) 1.9
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 24
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 32
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 27
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 35
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2479
总栅极电荷 QG(nC) 67.2
耗散功率PD(W) 100
品牌 新洁能

NCEAP25N10AG | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 32
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 30
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1317.6
总栅极电荷 QG(nC) 27.6
耗散功率PD(W) 54
品牌 新洁能

NCEAP25N10AD | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 37
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 30
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1317.6
总栅极电荷 QG(nC) 27.6
耗散功率PD(W) 70
品牌 新洁能

NCEAP25N10AK | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 37
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 21
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 25
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 26
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 30
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1317.6
总栅极电荷 QG(nC) 27.6
耗散功率PD(W) 70
品牌 新洁能

NCEAP026N10T | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 245
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.15
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 17500
总栅极电荷 QG(nC) 240
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCEAP016N10LL | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TOLL
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 100
漏极电流ID(A) 385
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 23100
总栅极电荷 QG(nC) 285
耗散功率PD(W) 500
品牌 新洁能
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