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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

NCEAP6050AQU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 3*3
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 68
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 8.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1892
总栅极电荷 QG(nC) 34.8
耗散功率PD(W) 71
品牌 新洁能

NCEA6080K | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 80
关断阈值电压VTH(V) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.9
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 83
耗散功率PD(W) 110
品牌 新洁能

NCEAP018N60GU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 200
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 5200
总栅极电荷 QG(nC) 79
耗散功率PD(W) 263
品牌 新洁能

NCEAP6035AG | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 48
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 9.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 11
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 12.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 14
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1040
总栅极电荷 QG(nC) 22.6
耗散功率PD(W) 52
品牌 新洁能

NCEAP60ND60G | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 70
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 7.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 8.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1700
总栅极电荷 QG(nC) 26.9
耗散功率PD(W) 84
品牌 新洁能

NCEA6050KA | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 50
关断阈值电压VTH(V) 1.2
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 13.8
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 16
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 19.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1630
总栅极电荷 QG(nC) 39
耗散功率PD(W) 85
品牌 新洁能

NCEA6042AG | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 沟槽Trench
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 42
关断阈值电压VTH(V) 1.6
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 16
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 19
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1630
总栅极电荷 QG(nC) 39
耗散功率PD(W) 53
品牌 新洁能

NCEAP60T12AK | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-252
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 5.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 67
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能

NCEAP60T12AD | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 150
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 4.3
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 5.3
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 67
耗散功率PD(W) 180
品牌 新洁能

NCEAP6055AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 70
关断阈值电压VTH(V) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 6.5
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 7.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 7.7
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 8.8
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 2000
总栅极电荷 QG(nC) 34.8
耗散功率PD(W) 78
品牌 新洁能

NCEAP60ND30AG | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 30
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 12
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 14
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 15
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 17.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 1010
总栅极电荷 QG(nC) 21.8
耗散功率PD(W) 48
品牌 新洁能

NCEAP025N60AG | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 185
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 6540
总栅极电荷 QG(nC) 99.5
耗散功率PD(W) 175
品牌 新洁能

NCEAP016N60VD | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-II
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 315
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.1
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 1.6
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9433
总栅极电荷 QG(nC) 141
耗散功率PD(W) 300
品牌 新洁能

NCEAP6090AGU | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

查看详情
产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB DFN 5*6
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 130
关断阈值电压VTH(V) 1.7
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 2.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 3.5
导通电阻RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 4.5
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 4000
总栅极电荷 QG(nC) 67
耗散功率PD(W) 120
品牌 新洁能

NCEAP60T20D | 12-300V N-Channel Automotive MOSFET Auto MOSFET

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产品ID 344
车规级工业级 车规级
制造工艺 屏蔽栅SGT-I
封装/PCB TO-263
极性 N
漏源击穿电压VDSS(V) 60
漏极电流ID(A) 250
关断阈值电压VTH(V) 3
导通电阻RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 1.8
导通电阻RDS(ON)@10VMax(mΩ) 2.2
开启阈值电压VGS(th)(V) ±20
输入电容CISS(pF) 9200
总栅极电荷 QG(nC) 130
耗散功率PD(W) 255
品牌 新洁能
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