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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

产品ID 34
车规级工业级 工业级
工艺 SiC
产品状态 New
封装/PCB TO-263-7L
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1200
连续漏极电流ID(A) 117
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 20
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 26
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 5990
栅极电荷 QG(nC) 182
功耗PD(W) 536
品牌 新洁能
产品ID 34
车规级工业级 工业级
工艺 SiC
产品状态 New
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1200
连续漏极电流ID(A) 108
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 20
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 26
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 5990
栅极电荷 QG(nC) 182
功耗PD(W) 454
品牌 新洁能
产品ID 34
车规级工业级 工业级
工艺 SiC
产品状态 Production
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1200
连续漏极电流ID(A) 158
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 13
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 17
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 6300
栅极电荷 QG(nC) 236
功耗PD(W) 652
品牌 新洁能
产品ID 34
车规级工业级 工业级
工艺 SiC
产品状态 Production
封装/PCB TO-263-7L
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1200
连续漏极电流ID(A) 1700
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 13
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 17
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 6300
栅极电荷 QG(nC) 236
功耗PD(W) 750
品牌 新洁能
产品ID 34
车规级工业级 工业级
工艺 SiC
产品状态 Production
封装/PCB QDPAK 22L
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1200
连续漏极电流ID(A) 65
阈值电压VTH(V) 3.2
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 40
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 52
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 2210
栅极电荷 QG(nC) 107
功耗PD(W) 326
品牌 新洁能
产品ID 34
车规级工业级 工业级
工艺 SiC
产品状态 Production
封装/PCB TO-263-7L
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1200
连续漏极电流ID(A) 70
阈值电压VTH(V) 3.2
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 40
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 52
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 2210
栅极电荷 QG(nC) 107
功耗PD(W) 375
品牌 新洁能
产品ID 34
车规级工业级 工业级
工艺 SiC
产品状态 Production
封装/PCB QDPAK 22L
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1200
连续漏极电流ID(A) 127
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 20
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 26
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 5990
栅极电荷 QG(nC) 182
功耗PD(W) 625
品牌 新洁能
产品ID 34
车规级工业级 工业级
工艺 SiC
产品状态 Production
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1200
连续漏极电流ID(A) 65
阈值电压VTH(V) 3.2
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 40
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 52
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 2210
栅极电荷 QG(nC) 107
功耗PD(W) 326
品牌 新洁能
产品ID 34
车规级工业级 工业级
工艺 SiC
产品状态 Production
封装/PCB TO-247-4LP
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1200
连续漏极电流ID(A) 158
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 13
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 17
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 6300
栅极电荷 QG(nC) 236
功耗PD(W) 652
品牌 新洁能
产品ID 34
车规级工业级 工业级
工艺 SiC
产品状态 Production
封装/PCB TO-247-4L
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1200
连续漏极电流ID(A) 158
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 13
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 17
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 6300
栅极电荷 QG(nC) 236
功耗PD(W) 652
品牌 新洁能
产品ID 34
车规级工业级 工业级
工艺 SiC
产品状态 Production
封装/PCB QDPAK 22L
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1200
连续漏极电流ID(A) 34
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 80
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 103
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 1020
栅极电荷 QG(nC) 57
功耗PD(W) 192
品牌 新洁能
产品ID 34
车规级工业级 工业级
工艺 SiC
产品状态 Production
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1200
连续漏极电流ID(A) 30
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 80
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 103
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 1020
栅极电荷 QG(nC) 57
功耗PD(W) 151
品牌 新洁能
产品ID 34
车规级工业级 工业级
工艺 SiC
产品状态 Production
封装/PCB TO-247-4LP
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1200
连续漏极电流ID(A) 65
阈值电压VTH(V) 3.2
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 40
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 52
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 2210
栅极电荷 QG(nC) 107
功耗PD(W) 326
品牌 新洁能
产品ID 34
车规级工业级 工业级
工艺 SiC
产品状态 Production
封装/PCB TO-247-4L
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1200
连续漏极电流ID(A) 108
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 20
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 26
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 5990
栅极电荷 QG(nC) 182
功耗PD(W) 454
品牌 新洁能
产品ID 34
车规级工业级 工业级
工艺 SiC
产品状态 Production
封装/PCB TO-247-4L
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1200
连续漏极电流ID(A) 17
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 160
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 208
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 618
栅极电荷 QG(nC) 26.5
功耗PD(W) 88
品牌 新洁能
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