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包含关键字 "MOSFET" 的所有数据

产品ID 36
车规级工业级 工业级
工艺Technology SiC
产品状态Product status Production
封装/PCB TOLL
极性Polarity N
漏源击穿电压BVDSS(V) 750
连续漏极电流ID(A) 37
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 80
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 104
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 790
栅极电荷 QG(nC) 34
功耗PD(W) 153
品牌 新洁能
产品ID 36
车规级工业级 工业级
工艺Technology SiC
产品状态Product status Production
封装/PCB QDPAK 22L
极性Polarity N
漏源击穿电压BVDSS(V) 750
连续漏极电流ID(A) 99
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 25
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 32
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 3000
栅极电荷 QG(nC) 102
功耗PD(W) 395
品牌 新洁能
产品ID 36
车规级工业级 工业级
工艺Technology SiC
产品状态Product status Production
封装/PCB TO-247-4L
极性Polarity N
漏源击穿电压BVDSS(V) 750
连续漏极电流ID(A) 30
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 80
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 104
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 790
栅极电荷 QG(nC) 34
功耗PD(W) 100
品牌 新洁能
产品ID 36
车规级工业级 工业级
工艺Technology SiC
产品状态Product status Production
封装/PCB TOLL
极性Polarity N
漏源击穿电压BVDSS(V) 750
连续漏极电流ID(A) 99
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 25
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 32
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10to+22
输入电容CISS(pF) 3010
栅极电荷 QG(nC) 204
功耗PD(W) 384
品牌 新洁能
产品ID 36
车规级工业级 工业级
工艺Technology SiC
产品状态Product status Production
封装/PCB TO-263-7L
极性Polarity N
漏源击穿电压BVDSS(V) 750
连续漏极电流ID(A) 87
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 25
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 32
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10to+22
输入电容CISS(pF) 3010
栅极电荷 QG(nC) 204
功耗PD(W) 294
品牌 新洁能
产品ID 36
车规级工业级 工业级
工艺Technology SiC
产品状态Product status Production
封装/PCB TO-247-4L
极性Polarity N
漏源击穿电压BVDSS(V) 750
连续漏极电流ID(A) 50
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 42
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 55
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10to+22
输入电容CISS(pF) 1930
栅极电荷 QG(nC) 120
功耗PD(W) 180
品牌 新洁能
产品ID 36
车规级工业级 工业级
工艺Technology SiC
产品状态Product status Production
封装/PCB TOLL
极性Polarity N
漏源击穿电压BVDSS(V) 750
连续漏极电流ID(A) 53
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 42
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 55
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10to+22
输入电容CISS(pF) 1930
栅极电荷 QG(nC) 120
功耗PD(W) 234
品牌 新洁能
产品ID 36
车规级工业级 工业级
工艺Technology SiC
产品状态Product status Production
封装/PCB TO-263-7L
极性Polarity N
漏源击穿电压BVDSS(V) 750
连续漏极电流ID(A) 53
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 42
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 55
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10to+22
输入电容CISS(pF) 1930
栅极电荷 QG(nC) 120
功耗PD(W) 202
品牌 新洁能
产品ID 36
车规级工业级 工业级
工艺Technology SiC
产品状态Product status Production
封装/PCB TO-247-4L
极性Polarity N
漏源击穿电压BVDSS(V) 750
连续漏极电流ID(A) 80
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 25
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 32
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10to+22
输入电容CISS(pF) 3010
栅极电荷 QG(nC) 204
功耗PD(W) 250
品牌 新洁能
产品ID 35
车规级工业级 工业级
工艺 SiC
产品状态 New
封装/PCB TO-263-7L HC
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1700
连续漏极电流ID(A) 6.7
阈值电压VTH(V) 2.5
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 1000
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 1300
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 132
栅极电荷 QG(nC) 10.9
功耗PD(W) 101
品牌 新洁能
产品ID 35
车规级工业级 工业级
工艺 SiC MOS
产品状态 New
封装/PCB TO-247
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1700
连续漏极电流ID(A) 7
阈值电压VTH(V) 3.5
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 1000
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 1300
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 132
栅极电荷 QG(nC) 10.9
功耗PD(W) 110
品牌 新洁能
产品ID 34
车规级工业级 工业级
工艺 SiC
产品状态 New
封装/PCB X2PAK
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1200
连续漏极电流ID(A) 69
阈值电压VTH(V) 3.2
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 40
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 52
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 2210
栅极电荷 QG(nC) 107
功耗PD(W) 366
品牌 新洁能
产品ID 34
车规级工业级 工业级
工艺 SiC
产品状态 New
封装/PCB QDPAK 22L
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1200
连续漏极电流ID(A) 97
阈值电压VTH(V) 3.1
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 30
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 40
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 3210
栅极电荷 QG(nC) 109
功耗PD(W) 577
品牌 新洁能
产品ID 34
车规级工业级 工业级
工艺 SiC
产品状态 New
封装/PCB X2PAK
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1200
连续漏极电流ID(A) 113
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 20
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 26
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 5990
栅极电荷 QG(nC) 182
功耗PD(W) 500
品牌 新洁能
产品ID 34
车规级工业级 工业级
工艺 SiC
产品状态 New
封装/PCB QDPAK 22L
极性 N
漏源击穿电压BVDSS(V) 1200
连续漏极电流ID(A) 20
阈值电压VTH(V) 3
典型导通电阻RDS(ON)@18VTyp(mΩ) 160
最大导通电阻RDS(ON)@18VMax(mΩ) 208
栅源阈值电压VGS(th)(V) -10 to +24
输入电容CISS(pF) 618
栅极电荷 QG(nC) 26.5
功耗PD(W) 125
品牌 新洁能
联系电话
15397147540 (加微信拉群选型 安排样品)
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